Первые результаты
ЦМ сразу приступил к созданию принципиально новой продукции. Уже в мае 1963 года в НИИТМ были разработаны первые образцы вакуумного напылительного оборудования. Во второй половине 1963 года в НИИМП уже были получены первые результаты по тонкопленочной технологии. Необходимо было проверить их на реальном изделии и публично продемонстрировать возможности микроэлектроники. Решили использовать уже опробованную Старосом идею – сделать микроприемник.
Вспоминает И.Н.Букреев: “Первая модель — „Микро“ — был приемник прямого усиления, а второй, чуть больше по размерам, уже супергетеродинный. У него была очень острая настройка и, так как в СССР радиостанций было тогда на средних и длинных волнах совсем мало, это казалось недостатком. Но когда я в 1964 году привез этот приемник в США на съезд радиоинженеров, он произвел там мировую сенсацию! Статьи в газетах, фотографии: как СССР смог нас обогнать? … в Нью-Йорке, где было около 30 местных радиостанций, острая настройка нашего приемника пришлась в самый раз. „Микро“ продавали потом за валюту также во Франции, Англии, и везде там за ним в 60-е годы очереди стояли. В общем, „Микро“ стал первой сенсацией для руководства. Хрущев брал их с собой за границу как сувениры, дарил Г. Насеру, королеве Елизавете…” [9]
Радиоприемник “Микро” (рис.3), выполненный по тонкопленочной технологии, стал первым в стране серийным изделием микроэлектроники. Он был разработан во второй половине 1963 года в НИИМП. А в 1964 г. его производство освоил “Ангстрем”, выпустив около 80 тыс. штук, после чего передал заводу МРП в Минске. До середины семидесятых годов этот микроприемник можно было купить в магазинах СССР и Франции
В 1964 году НИИТТ приступил к созданию серии толстопленочных ГИС “Тропа” (рис.4) (главный конструктор (ГК) — А.К.Катман), а затем и тонкопленочных ГИС “Посол”. Первый директор НИИТТ В.С.Сергеев вспоминает: “Никаких технических материалов и литературы по этому направлению не было, мы имели только фотографию микросхем, выпускаемых фирмой IBM.
Особенно в большом секрете за рубежом держалась технология изготовления резистивных, проводниковых и изоляционных паст. Всю работу мы начали с нуля: разработку конструкции, материалов, технологии и оборудования… Уже с первых дней существования предприятия, помимо работ непосредственно по технологии ГИС, велись значительные работы по созданию и применению стекла, керамики, полимеров, клеев, изоляционных материалов, гальванических процессов, сварки, пайки, получению прецизионного инструмента (штампов, пресс-форм) химической фрезеровки, многослойных полимерных и керамических плат и многим другим процессам, необходимым в перспективах развития техники …” [11]
Некоторые вспоминают фразу А.Эйнштейна: “Самый большой секрет атомной бомбы состоит в том, что ее можно сделать”, – намекая тем самым, что ничего сложного в создании “Тропы” не было. Но не случайно в мире популярно понятие “know how” (“знаю, как”), а не “know what” (“знаю, что”). Главная проблема современных технологий именно в “как”, и ее НИИТТ пришлось решать самостоятельно. В частности, в НИИТТ впервые в мире для подгонки параметров резисторов был применен лазер, в то время как зарубежные фирмы применяли пескоструйную технологию.
В 1965 году “Микрон” начал выпуск первой в Зеленограде полупроводниковой ИС “Иртыш” (рис.5) (ГК – А. П. Голубев). ИС была разработана в НИИМЭ на основе планарной технологии, созданной в НИИ-35 и поставленной на “Микроне”.
В 1966 году “Элма” выпускает уже 15 видов разработанных в НИИМВ специальных материалов, а “Элион” — 20 типов созданного в НИИТМ технологического и контрольно-измерительного оборудования. В 1969 году “Ангстрем” и “Микрон” производят более 200 типов ИС, а к 1975 году в НЦ было разработано 1020 типов ИС. Все разработки передавались на серийные заводы подотрасли. И это было только начало…
В 1970 году правительственная комиссия провела комплексную проверку работы НЦ, включающего на тот момент 9 научно-исследовательских организаций, 5 опытных заводов, вуз и др. По состоянию на 1 июня 1970 года в институтах и КБ Центра работало 12 924 человека, в том числе 9 докторов наук и 214 кандидатов. На заводах трудилось 16 154 человека. Для размещения предприятий Центра было построено 240 тыс. м2 промышленных площадей. Комиссия положительно оценила результаты деятельности НЦ и отметила его огромную роль в развитии отечественной микроэлектроники. Были указаны и недостатки. За достигнутые успехи в деле создания отечественной микроэлектроники НЦ был награжден орденом Ленина, а его директор Ф.В.Лукин – орденом Октябрьской Революции.
Rumlin (20 мая 2018 - 07:42) писал:
b17.jpg
Стоимость достройки второго сверхгигантского транспортного самолета составляет не менее 300 миллионов долларов.
Помощь
